New York, 23. decembra 2020 (GLOBE NEWSWIRE) - Reportlinker.com napoveduje objavo poročila „Poročilo o velikosti silicijevega karbida z visoko čistostjo, poročilo o analizi delnic in trendov po aplikacijah, po regijah in segmentih, 2020 - 2027 ″
Velikost svetovnega trga silicijevega karbida ultra visoke čistosti naj bi do leta 2027 dosegla 79,0 milijona USD. Pričakuje se, da se bo od leta 2020 do 2027 povečala s 14,8% CAG. Naraščajoči prodor električnih vozil in rast sektorja obnovljivih virov energije predvideva, da bo prodajalcem zagotovil priložnosti za rast.
Napajalniki in fotonapetostni pretvorniki so med pomembnejšimi področji uporabe polprevodnikov iz silicijevega karbida (SiC), poleg tega pa je SiC-jeva močnostna elektronika sprejeta v izdelkih za polnjenje električnih vozil, infrastrukturi za vetrno energijo in industrijskih pogonih.
Tako naj bi povpraševanje po električnih vozilih pospešilo rast polprevodnikov silicijevega karbida izredno visoke čistosti. Naraščajoča uporaba obnovljivih virov energije za proizvodnjo električne energije po vsem svetu naj bi spodbudila trg za SiC močnostne polprevodnike.
Razvoj novih tehnologij, kot so kvantno računalništvo, umetna inteligenca in tehnologija 5G, naj bi zagotovil nove priložnosti za prodajalce na trgu. Vse večji prodor teh tehnologij, zlasti v ZDA, bo verjetno ostal ključni dejavnik, ki bo prispeval k rasti trga. Podjetja v ZDA so v te tehnologije vložila velika sredstva in s tem pozitivno vplivala na razvoj polprevodnikov, potrebnih za umetno inteligenco, superračunalnike in podatkovne centre. Na primer, naložbe v raziskave in razvoj v ameriški industriji polprevodnikov so se od leta 1999 do 2019 povečale na 6,6% CAGR. V ZDA so naložbe v raziskave in razvoj za leto 2019 znašale 39,8 milijarde USD, kar je približno 17% njene prodaje, kar je največ med vsemi držav.
Naraščajoče povpraševanje po svetlečih diodah (LED) je še en ključni dejavnik, ki naj bi spodbudil rast trga v prihodnjih letih. Silicijev karbid izredno visoke čistosti se uporablja za odstranjevanje nečistoč v LED.
Trg LED razsvetljave naj bi od leta 2020 do 2027 zabeležil 13,4-odstotno stopnjo rasti zaradi padca cen, strogih predpisov, povezanih s svetlobnimi tehnologijami, in prizadevanj različnih vlad v smeri trajnostnega razvoja.
Podjetja v Južni Koreji sodelujejo pri razvoju tehnologije silicijevega karbida, ki naj bi dolgoročno ostala ključni dejavnik. Na primer, POSCO, eden vodilnih proizvajalcev jekla na svetu, je 10 let vložil v razvoj SiC monokristal.
V tem projektu POSCO dela na razvoju 150-mm in 100-mm SiC tehnologije substrata, ki je blizu komercializaciji. Drugi proizvajalec SK Corporation (SKC) bo verjetno tržil 150 mm napolitanke SiC.
Poročilo o trgu silicijevega karbida izredno visoke čistosti
• Tako po prihodkih kot po obsegu je bil polprevodnik največji segment uporabe v letu 2019. Rast segmenta pripisujejo naraščajočim potrebam naraščajočega prebivalstva srednjega razreda in s tem posrednemu povpraševanju po elektroniki
• Z uporabo naj bi se LED-ji najhitreje povečali na 15,6% glede na prihodek od leta 2020 do 2027. Povečanje ozaveščenosti o globalnem segrevanju je pozitivno vplivalo na povpraševanje po LED-jih zaradi njihove energetske učinkovitosti
• Pandemija COVID-19 je močno vplivala na končno industrijo silicijevega karbida z visoko čistostjo (UHPSiC). Glede na obseg naj bi se povpraševanje po UHPSiC v letu 2020 od leta 2019 zmanjšalo za skoraj 10%
• Azijsko-pacifiški trg je bil največji regionalni trg in je leta 2019 predstavljal 48,0-odstotni količinski delež. Velika količina elektronike in LED na Kitajskem, v Južni Koreji in na Tajvanu je ključni dejavnik rasti za regionalni trg.
Čas objave: Jan-06-2013